赛英公司法人代表、董事长张玉兴教授耗时2年编著的650页宏篇巨著——射频与微波晶体管功率放大器工程，将于2010年上半年由电子工业出版社出版，敬请同行关注!
前言
信号与信息传输系统，不管这传输媒介是空气、传输线、光纤还是波导，在传输的过程中信号都会有损耗。因此在信号的发送端头需要把被发送的信号放大到一定的电平，然后再通过媒介传送。在无线信号传输系统中，信号通过天线向空间辐射，传输距离可能从几米，几公里，几十公里到几百上千公里，这就是说发送端需要几瓦，几十瓦，乃至几百上千瓦的发射功率，因此，无论是通信、雷达、定位、导航、遥测遥控、空间技术、电视广播等信号传输系统中都需要发射机。而发射机中的核心就是射频和微波功率放大器。现代移动通信中的基站发射机功率为几十瓦，而手持机的功率为几百毫瓦，雷达发射机的脉冲功率高达几个千瓦到几十，上百千瓦。中短波、超短波，VHF/UHF的广播、电视、通信发射机的功率从瓦级到几十上百瓦，高至千瓦级。上述系统的频率从几百KHZ，一直覆盖到微波波段。功率放大器覆盖这么宽的频带，功率范围从几百毫瓦到几十千瓦，对功率放大器的指标要求，频带要求，不同的应用场合，需求都是不一样的。各个频段的功率放大器，特别是射频段和微波波段，可能的电路结构形式是完全不一样的。
现代移动通信技术在飞速发展，模拟通信体制逐渐退出历史舞台，数字通信体制在更新换代。所有这些变革都对RF、微波功率放大器的指标要求愈来愈苛刻。功率放大器如何满足现代通信系统的要求，仍是摆在我们面前的艰巨的任务。新一代移动通信中的发射机，效率和线性度这两个指标摆到了最重要的位置。为了满足这种苛刻的要求，研发出许多新型发射机的方案，一些正在成熟，而有些还仍在研发之中。
除了性能指标之外，价格因素也是必须考虑的问题。移动通信领域中的市场竞争尤其激烈，价格竞争是一个最主要的领域。功率放大器的价格是影响系统价格的最主要的因素之一。因此，高指标、低价格是现代功率放大器设计者追求的目标。
RF和微波功率放大器的设计技术是一们古老的技术，但也是仍在不断更新的技术。功率放大器分成A类、B类和C类的方法早在上世纪30年代就开始了。至今，这个概念还在使用。由于移动通信新一代数字调制系统的使用，要求功率放大器高的线性度。为了满足系统要求，老的设计方法，如效率与功率的拆衷、功率和线性度之间的拆衷等等，仍在使用“古老”的分析方法。今天，这种方法对功率放大器的设计仍起到了指导作用。当然，现代功率放大器的计算机辅助设计已成为必不可少的工具，掌握他是势在必行。
现代通信技术的日新月异，促进了功率放大器技术的发展，尤其是功率放大器的线性化技术、功率放大器效率提高技术、兼顾功率放大器线性度和效率技术等等更是纷纷出笼。例如，Doherty技术、前馈技术、预失真技术、异相技术等等。这些新技术很多已应用在现代移动通信系统中，还有一些正在发展之中。
射频与微波功率放大器的设计与实践，在我国仍是一个较薄弱环节。虽然，目前已出现几家专门研发和生产功率放大器的专门公司，例如 等等。笔者认为编著一种既有原理，设计方法，又有工程实践的书是完全必要的。功率放大器，现在，至少今后几十年，仍是一门不能集成的电路技术，尤其是大功率放大器。其理由是众所周知的。射频和微波电路中的分布参数、寄身参数及互相耦合的影响是不能忽略的。功率放大器电路板布板技术的好坏，在某些应用中，是电路能否成功的关键。一个设计优良的功率放大器，布板不好引起失败的例子很多。因此，本书在编写的过程中，尽可能的介绍在方面的经验与例子。功率放大器除了设计和布板之外，还存在很多工程问题，如元器件的选择、馈电、热设计、功率放大器保护等等，这涉及很宽的电路知识。本书在这方面也作一些介绍，当然，限于篇幅，不可能对每一个部分作详细介绍。
功率放大器的核心是晶体管，如何正确理解晶体管、正确选择晶体管、理解各类晶体管的特性往往是电路设计者的薄弱环节。本著作几乎用了一章的篇幅来介绍在方面的内容。特别是如何理解晶体管数据表上给出的直流参数、功能参数、极限参数，特别是极限参数的测量及限制等等。
射频和微波功率放大器使用的晶体管有：双极晶体管(BJT)、砷化镓金属半导体场效应管(GaAsMESFET)、结型场效应管(FET)、横向扩散场效应管(LDMOS),现在，又出现了新颖的功率晶体管——氮化镓晶体管(GaN)、INGaP、GaAs HBT等等。这些晶体管的一些选用，本书也作了介绍。
本书的一个最大的特点是：用了很大的篇幅介绍数字通信的信号调制的性质和特点，用于放大这样的信号的功率放大器的要求是什么。使功率放大器设计工程师更为明确目标和目的。著作中给出了很多的工程设计的实例，这些例子都来源于国外的文献资料。笔者也有这方面很多的工程设计实例和实际测量数据，但限于一些因素，不便于发表。
射频和微波固体功率放大器仍在不断的发展之中，很多指标以前认为作不到的正在被刷新。在书中要及时反映这些变化与发展是不可能的。因此，本著作的理论核心侧重于基本概念、基本原理、基本设计方法。在这基础上，再归纳出工程设计近似法。
功率放大器工作在大信号状态，严格的数学分析是不可能的。为了给出定量分析的结果，常常要作很多假设。假设符合实际工程情况吗?假设得到的近似满足工程设计的精度吗?这些都要一一验证。本书给出了这个过程。
本书编写的工作量很大，在编写的过程中得到了很大人的帮助。其中主要的是我众多的研究生和成都赛英科技有限公司的技术同行，作者在此表示我衷心的感谢。
张玉兴于2009.6.8.
目录
第一章 绪论
§1-1 现代数字通信体制的特点
§1-1-1 功率放大器在无线通信系统中的地位
§1-1-2 功率放大器波形质量的测量
§1-1-3 功率效率的测量
§1-1-4 功放线性化技术和效率提高技术
§1-2 射频与微波固体功率放大器的特点
§1-3 射频和微波功率放大器的分析方法综述
§1-3-1 线性近似化理论
§1-3-2 弱非线性器件的分析方法
§1-3-3 强非线性效应下的近似分析法
§1-3-4 计算机辅助设计(CAD)和非线性器件模型
§1-3-5 负载牵引设计法
§1-4 射频和微波固体功率放大器中的新颖技术
§1-4-1 功率放大器的线性化技术
§1-4-2 效率及线性化增强技术
第二章 射频和微波晶体管功率放大器基础
§2-1 射频和微波功率晶体管的直流参数和功能参数
§2-1-1 直流参数
§2-1-2 极限参数和热特性
§2-1-3 功率晶体管的功能特性
§2-1-4 低功率晶体管的功能特性
§2-1-5 线性模块的功能特性
§2-1-6 功率模块的功能性特
§2-2 射频和微波晶体管应用基础
§2-2-1 低功率晶体管的选择
§2-2-2 高功率晶体管的选择
§2-2-3 晶体管选择时的带宽考虑
§2-2-4 MOSFET与双极晶体管的选择
§2-2-5 选择功率晶体管其他考虑因素
§2-3 FET和双极晶体管的参数和电路比较
§2-3-1 晶体管类型
§2-3-2 参数的比较
§2-3-3 电路组态
§2-4 影响功率放大器设计的其他因素
§2-4-1 工作类别
§2-4-2 调制类型
§2-4-3 线性工作偏置的考虑
§2-4-4 脉冲模式工作的晶体管
§2-5 LDMOS功率晶体管及他们的应用
§2-5-1 LDMOSFET与垂直MOSFET的比较
§2-5-2 LDMOS器件设计
§2-5-3 LDMOS的特性
§2-5-4 FET的一些近似设计考虑
§2-5-5 LDMOS晶体管在现代移动蜂窝技术中的应用
§2-5-6 射频功率放大器的特性
§2-5-7 线性度考虑
§2-5-8 W-CDMA功率放大器设计实际例子
§2-5-9 CDMA放大器设计和优化的电路技术
§2-5-10 LDMOS晶体管的模型
§2-6 射频和微波功率放大器的附加电路
§2-6-1 固体功率放大器的VSWR保护
§2-6-2 功率放大器的负载失配量的“在线”测试电路
§2-6-3 输出滤波
§2-7 宽带阻抗匹配的基本概念
§2-7-1 宽带电路介绍
§2-7-2 传统的RF变压器阻抗变换器
§2-7-3 绞线RF变压器阻抗变换器
§2-7-4 传输线RF变压器阻抗变换器
§2-7-5 等延迟传输线RF变压器阻抗变换器
§2-8 射频和微波功率放大器的总体设计思想
§2-8-1 单端、平衡(并联)或者推挽功率放大器
§2-8-2 单端RF功率放大器设计思想
§2-8-3 双极晶体管并联功率放大器
§2-8-4 MOSFET晶体管并联功率放大器
§2-8-5 推挽功率放大器
§2-8-6 功率晶体管的阻抗和放大器的匹配网络
§2-8-7 功率放大器系统的级间匹配电路
§2-8-8 单级设计的实际例子
§2-9 计算机辅助设计程序
§2-9-1 概况
§2-9-2 Motorola阻抗匹配程序的内部
第三章 射频和微波功率放大器的结构技术及可靠性技术
§3-1 RF功率晶体管的封装类型
§3-2 封装对发射极/源极阻抗的影响
§3-3 射频和微波功率放大器印刷电路板的布局
§3-4 射频和微波元器件安排
§3-4-1 高功率晶体管的安装
§3-4-2 低功率晶体管的安装
§3-4-3 射频功率模块的安装
§3-5 射频和微波功率放大器的可靠性考虑
§3-5-1 芯片温度和他对可靠性的影响
§3-5-2 其他可靠性考虑
第四章 线性功率放大器的设计和功率放大器的线性化技术
§4-1 非线性电路基本概念与定义
§4-1-1 线性与非线性
§4-1-2 频率的产生
§4-1-3 非线性现象
§4-1-4 放大器中的非线性现象
§4-2 线性晶体管功率放大器的设计
§4-2-1 A类放大器和线性放大
§4-2-2 增益匹配和功率匹配
§4-2-3 负载牵引测量
§4-2-4 商用负载牵引测量设备
§4-2-5 负载线理论
§4-2-6 封装效应和负载牵引理论
§4-2-7 用CAD程序作负载牵引等功率
§4-2-8 A类功率放大器设计的实际例子
§4-2-9 总结
§4-3 功率放大器的线性化技术
§4-3-1 负反馈线性化技术
§4-3-2 预失真技术
§4-3-3 前馈技术
第五章 高效率射频和微波固体功率放大器设计
§5-1 功率放大器减小导通角的波形分析
§5-2 功率放大器输出端口
§5-3 减小导通角工作模式分析
§5-3-1 A类工作条件
§5-3-2 AB类工作条件
§5-3-3 B类工作状态
§5-3-4 C类工作状态
§5-3-5 晶体管的开启(膝)电压的影响
§5-3-6 功率转移特性和线性度
§5-3-7 对输入驱动的要求
§5-3-8 本节小结
§5-4 降低导通角高效率功率放大器的匹配网络的设计
§5-4-1 低通匹配网络
§5-4-2 传输线网络
§5-4-3 谐波短路
§5-4-4普通的的MESFET晶体管
§5-4-5 850MHz 2W B类功率放大器设计实例
§5-4-6 “π”型功率匹配网络
§5-4-7 功率放大器中的“π”型匹配网络设计和分析
§5-4-8 使用负载牵引法的网络设计和分析
§5-5 射频和微波功率放大器中的过驱动和限制效应
§5-5-1 过驱动A类功率放大器
§5-5-2 过驱动减小导通角模式的功率放大器
§5-5-3 正弦波的矩形化：F类和D类工作状态
§5-5-4 实际的F类功率放大器
§5-5-5 具有谐波短路的过驱动功率放大器
§5-6 射频应用的开关模式放大器
§5-6-1 简单的(射频应用)开关模式放大器
§5-6-2 调谐开关模功率放大器
§5-6-3 D类开关模功率放大器
§5-6-4 E类开关模功率放大器
第六章 射频和微波功率放大器的电路技术
§6-1 推挽放大器
§6-2 平衡功率放大器
§6-3 射频和微波功率放大器中的频率补偿和负反馈
§6-3-1 频率补偿
§6-3-2 负反馈
第七章 功率合成与分配技术
§7-1 概述
§7-1-1 合成概念的演变
§7-1-2 合成的基本原理
§7-1-3 合成的网络特性
§7-2 功率合成器/分配器的类型
§7-2-1 谐振和非谐振腔体合成器/功分器
§7-2-2 非谐振的N路合成器
§7-2-3 空间功率合成器
§7-3 功率合成器/分配器的分析方法
§7-3-1 传输线合成器的分析
§7-3-2 平面二维功率合成结构的分析
§7-3-3 波导和腔体合成器的分析
§7-3-4 空间功率合成结构的分析
§7-4 常规功率分配与合成技术
§7-4-1 Wilkinson 功率分配器
§7-4-2 耦合线定向耦合器
§7-4-3 微波混合桥
§7-4-4 同轴电缆变换器和合成器
§7-4-5 平行耦合线(双绞线)及同轴线阻抗变换器和平衡-不平衡变换器
§7-5 新型功率分配与合成技术
§7-5-1 基于DGS结构的不等分功率合成技术
§7-5-2 基于多层结构的小型化超宽带合成技术
§7-5-3 任意双频段功分与合成技术
§7-6 空间功率合成技术
§7-6-1 概述
§7-6-2 扩展同轴波导内空间功率合成技术
§7-6-3 径向波导空间功率合成技术
§7-6-4 基片集成波导空间功率合成技术
§7-7 大功率合成技术简介
§7-7-1 传输线的功率容量
§7-7-2 大功率合成器的设计实例
§7-8 小结
第八章 射频和微波功率放大器中的记忆效应和失真
§8-1 介绍
§8-1-1 本章的目的
§8-1-2 线性化和记忆效应
§8-1-3 本章的主要内容
§8-2 电路理论和方法
§8-2-1 电系统的分类
§8-2-2 非线性系统的频谱计算
§8-2-3 无记忆非线性系统中的频谱再生
§8-2-4 非线性效应与信号带宽的关系
§8-2-5 非线性系统分析
§8-2-6 小结
§8-2-7 需记住的要点
§8-3 射频功率放大器中的记忆效应
§8-3-1 效率
§8-3-2 线性化
§8-3-3 电记忆效应
§8-3-4 热记忆效应
§8-3-5 幅度域效应
§8-3-6 总结
§8-3-7 记忆要点
§8-4 Volterra模型
§8-4-1 非线性建模
§8-4-2 非线性I-V和Q-V特性
§8-4-3 共射BJT/HBT模型
§8-4-4 在BJT共射放大器中的IM3
§8-4-5 MESFET建模及分析
§8-4-6 小结
§8-4-7 记忆要点
§8-5 Volterra模型的特性描述
§8-5-1 拟合多项式模型
§8-5-2 自热效应
§8-5-3 直流 I-V 特性
§8-5-4 交流特性描述步骤
§8-5-5 脉冲S-参数测量
§8-5-6 封装效应的去除
§8-5-7 小信号参数的计算
§8-5-8 拟合法交流测量
§8-5-9 1-W BJT的非线性模型
§8-5-10 1-W MESFET 的非线性模型
§8-5-11 30-W LDMOS的非线性模型
§8-5-12 小结
§8-5-13 记忆要点
§8-6 仿真及测量记忆效应
§8-6-1 仿真记忆效应
§8-6-2 记忆效应的测量
§8-6-3 记忆效应与线性化
§8-6-4 小结
§8-6-5 记忆要点
§8-7 记忆效应的抵消
§8-7-1 包络滤波法
§8-7-2 阻抗优化
§8-7-3 包络注入
§8-7-4 小结
§8-7-5 记忆要点
附录7A: Volterra 分析基础
附录7B: 截断误差
附录7C:平方非线性级联时的IM3公式
附录 7D: 测量系统的有关问题
第九章 异相射频与微波功率放大器
§9-1异相微波功率放大器的介绍
§9-1-1 从历史角度来看异相放大器
§9-1-2 异相放大理论的介绍
§9-2 反相功率放大系统的线性性能
§9-2-1介绍
§9-2-2 数字调制技术
§9-2-3 数字数据的基带滤波
§9-2-4 异相放大器信号分量的分离
§9-2-5 路径不均衡和他对线性度的影响
§9-2-6 正交调制器误差对线性度的影响
§9-2-7 SCS量化误差对于异相系统的影响
§9-2-8 重构滤波器和DSP抽样率对线性度影响
§9-2-9总结
§9-3 异相放大器中降低路径失配的技术
§9-3-1 简介
§9-3-2 基于训练矢量的改进方法
§9-3-3 数据传输中路径失配误差的校正方案
§9-3-4 宽带应用中的失配校正方法
§9-3-5 VCO驱动合成
§9-4 异相功率放大器中的功率合成及效率增强技术
§9-4-1 介绍
§9-4-2 异相放大器中的功率合成技术
§9-4-3 异相系统的放大器选择
§9-4-4 利用A、B、C类放大器设计异相放大器
§9-4-5 Chireix功率合成技术
§9-4-6 开关模式放大器(D类和E类)的功率合成器的设计
§9-4-7 在异相功率放大器中使用有损耗的功率合成器
§9-4-8 输出功率的概率分布及其对效率带来的影响
§9-4-9 异相放大器中的功率回收
附录 9A
9A.1 混合型功率合成器输出的资用功率
9A.2 任意二极管模型的回收效率和电压驻波比
第十章 通信系统中的功率放大器
§10-1 Kahn包络分离和恢复技术
§10-2 包络跟踪
§10-3 异相功率放大器
§10-4 Doherty功率放大器方案
§10-5 开关模和双途径功率放大器
§10-6 前馈线性化技术
§10-7 预失真线性化(技术)
§10-8 手持机应用的单片CMOS和HBT功率放大器